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基本信息
书名:光电集成电路设计与器件建模(英文版)
定价:59.00元
作者:高建军
出版社:高等教育出版社
出版日期:2011-01-01
ISBN:9787040313260
字数:
页码:262
版次:1
装帧:平装
开本:16开
商品重量:0.740kg
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内容提要
《光电集成电路设计与器件建模(英文版)》主要介绍微波技术在光电子集成电路设计领域的应用,内容涵盖先进的半导体光电子器件建模技术、高速光发射和接收电路设计技术,器件涉及半导体激光器、半导体探测器以及多种高速半导体器件,特别是对于双极晶体管和场效应晶体管在超高速光电子集成电路中的应用进行了详细的讨论。
n 《光电集成电路设计与器件建模(英文版)》在微波器件建模技术和光电子集成电路设计之间架起了一座学科贯通的桥梁,非常适合微波射频领域和光电子领域的高年级本科生、研究生和科研工作人员入门学习。
目录
Preface
nAbout the Author
n1 Nomenclature
nIntroduction
n1.1 Optical CommunicatioSystem
n1.2 Optoelectronic Integrated Circuit Computer-Aided Design
n1.3 Organizatioof This Book
nReferences
n2 Basic Concept of Semiconductor Laser Diodes
n2.1 Introduction
n2.2 Basic Concept
n2.2.1 Atom Energy
n2.2.2 Emissioand Absorption
n2.2.3 PopulatioInversion
n2.3 Structures and Types
n2.3.1 Homojunctioand Heterojunction
n2.3.2 Index Guiding and GaiGuiding
n2.3.3 Fabry-Perot Cavity Lasers
n2.3.4 Quantum-Well Lasers
n2.3.5 Distributed Feedback Lasers
n2.3.6 Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers
n2.4 Laser Characteristics
n2.4.1 Single-Mode Rate Equations
n2.4.2 Multimode Rate Equations
n2.4.3 Small-Signal Intensity Modulation
n2.4.4 Small-Signal Frequency Modulation
n2.4.5 Large-Signal Transit Response
n2.4.6 Second Harmonic Distortion
n2.4.7 Relative Intensity Noise
n2.4.8 Measurement Technique
n2.5 Summary
nReferences
n3 Modeling and Parameter ExtractioTechniques of Lasers
n3.1 Introduction
n3.2 Standard Double HeterojunctioSemiconductor Lasers
n3.2.1 Large-Signal Model
n3.2.2 Small-Signal Model
n3.2.3 Noise Model
n3.3 Quantum-Well Lasers
n3.3.1 One-Level Equivalent Circuit Model
n3.3.2 Two-Level Equivalent Circuit Model
n3.3.3 Three-Level Equivalent Circuit Model
n3.4 Parameter ExtractioMethods
n3.4.1 Direct-ExtractioMethod
n3.4.2 Semi-Analytical Method
n3.5 Summary
nReferences
n4 Microwave Modeling Techniques of Photodiodes
n4.1 Introduction
n4.2 Physical Principles
n4.3 Figures of Merit
n4.3.1 Responsivity
n4.3.2 Quantum Efficiency
n4.3.3 AbsorptioCoefficient
n4.3.4 Dark Current
n4.3.5 Rise Time and Bandwidth
n4.3.6 Noise Currents
n4.4 Microwave Modeling Techniques
n4.4.1 PIN PD
n4.4.2 APD
n4.5 Summary
nReferences
n5 High-Speed Electronic Semiconductor Devices
n5.1 Overview of Microwave Transistors
n5.2 FET Modeling Technique
n5.2.1 FET Small-Signal Modeling
n5.2.2 FET Large-Signal Modeling
n5.2.3 FET Noise Modeling
n5.3 GaAs/InP HBT Modeling Technique
n5.3.1 GaAs/InP HBT Nonlinear Model
n5.3.2 GaAs/InP HBT Linear Model
n5.3.3 GaAs/InP HBT Noise Model
n5.3.4 Parameter ExtractioMethods
n5.4 SiGe HBT Modeling Technique
n5.5 MOSFET Modeling Technique
n5.5.1 MOSFET Small-Signal Model
n5.5.2 MOSFET Noise Model
n5.5.3 Parameter ExtractioMethods
n5.6 Summary
nReferences
n6 Semiconductor Laser and Modulator Driver Circuit Design
n6.1 Basic Concepts
n6.1.1 NRZ and RZ Data
n6.1.2 Optical Modulation
n6.1.3 Optical External Modulator
n6.2 Optoelectronic IntegratioTechnology
n6.2.1 Monofithic Optoelectronic Integrated Circuits
n6.2.2 Hybrid Optoelectronic Integrated Circuits
n6.3 Laser Driver Circuit Design
n6.4 Modulator Driver Circuit Design
n6.4.1 FET-Based Driver Circuit
n6.4.2 Bipolar Transistor-Based Driver Integrated Circuit
n6.4.3 MOSFET-Based Driver Integrated Circuit
n6.5 Distributed Driver Circuit Design
n6.6 Passive Peaking Techniques
n6.6.1 Capacitive Peaking Techniques
n6.6.2 Inductive Peaking Techniques
n6.7 Summary
nReferences
n7 Optical Receiver Front-End, Integrated Circuit Design
n7.1 Basic Concepts of the Optical Receiver
n7.1.1 Signal-to-Noise Ratio
n7.1.2 Bit Error Ratio
n7.1.3 Sensitivity
n7.1.4 Eye Diagram
n7.1.5 Signal Bandwidth
n7.1.6 Dynamic Range
n7.2 Front-End Circuit Design
n7.2.1 Hybrid and Monolithic OEIC
n7.2.2 High-Impedance Front-End
n7.2.3 Transimpedance Front-End
n7.3 Transi-mpedance Gaiand Equivalent Input Noise Current
n7.3.1 S Parameters of a Two-Port Network
n7.3.2 Noise Figure of a Two-Port Network
n7.3.3 Transimpedance Gain
n7.3.4 Equivalent Input Noise Current
n7.3.5 Simulatioand Measurement of Transimpedance Gaiand Equivalent Input Noise Current
n7.4 Transimpedance Amplifier Circuit Design
n7.4.1 BJT-Based Circuit Design
n7.4.2 HBT-Based Circuit Design
n7.4.3 FET-Based Circuit Design
n7.4.4 MOSFET-Based Circuit Design
n7.4.5 Distributed Circuit Design
n7.5 Passive Peaking Techniques
n7.5.1 Inductive Peaking Techniques
n7.5.2 Capacitive Peaking Techniques
n7.6 Matching Techniques
n7.7 Summary
nReferences
nIndex
作者介绍
文摘
序言
从目录的结构来看,这本书的编排逻辑性极强,它似乎遵循着一个非常自然的学习路径,从基础概念的建立,逐步深入到更复杂的集成和器件建模层面。这种层层递进的布局,使得即便是初次接触这个领域的学习者,也能找到清晰的切入点,不至于一上来就被海量的专业术语和公式淹没。我注意到,它似乎在某些章节之间设置了非常巧妙的过渡点,这些地方很可能是对前一节知识点的回顾与总结,并以此为基础引出新的内容,这种设计体现了编纂者对教学规律的深刻理解。这种精心组织的结构,对于自学或者作为专业课程的参考资料来说,无疑具有极高的价值,它提供了一个坚实的脚手架,让学习者可以稳健地向上攀登知识的高峰。这种结构上的严谨,是判断一本技术专著是否成熟的重要标准之一。
评分这本书的语言风格,尽管我尚未深入到每一个细节的深层含义中去体会,但从零星翻阅到的引言和摘要部分,便能感受到一种沉稳而精准的学术笔调。它没有采用那种故作高深的晦涩表达,也没有过于口语化的随意性,而是在严谨的科学术语运用中,保持了一种令人信服的逻辑流畅性。这种语言的“度”拿捏得非常到位,既保证了专业内容的准确无误,又确保了信息传递的有效性,避免了冗余和歧义。对于需要精确理解每一个技术定义的读者而言,这种精确性是毋庸置疑的王道。这让我联想到,在翻译成英文(或原版就是英文)的过程中,作者一定非常注重术语的国际通用性和标准的表达方式,这对于希望与国际学术界接轨的读者来说,是一个巨大的优势。
评分初次翻阅时,我立刻被其排版的清晰度所折服。每一个公式、每一个图表,都以一种极其工整、易于辨识的方式呈现出来。在涉及复杂电路图和数学推导的部分,那些线条的粗细、符号的间距都把握得恰到好处,这对于需要长时间盯着专业内容阅读的读者来说,简直是一种福音。很多技术书籍常常因为排版上的疏忽,导致读者在理解本就晦涩的理论时,还要为辨认那些模模糊糊的图例而分心,但这本书完全避免了这个问题。特别是那些关键概念的定义和重要的定理陈述,通常都会被加粗或者用不同的字体样式突出显示,这种视觉上的引导,极大地减轻了阅读的认知负荷。我可以想象,如果是在深夜台灯下学习,这样清晰的排版能有效缓解眼部疲劳,让人能够更长时间地沉浸在知识的海洋中而不至于感到焦躁。
评分这本书的封面设计实在让人眼前一亮,那种深沉的蓝色调,配上简洁的白色和黄色字体,透露出一种专业又不失典雅的气质。我拿到手的时候,首先被它纸张的质感所吸引,那种微微哑光的触感,拿在手里沉甸甸的,让人感觉物有所值。装帧也非常结实,一看就知道是下了功夫的用心之作,翻阅起来页边平整,装订处也没有松动的迹象,这点对于经常翻阅的教材来说至关重要。虽然我还没来得及深入研读每一个章节的深奥内容,但仅仅是这种外在的精致,就足以让我对接下来的阅读充满期待。它不像市面上很多教材那样,设计得过于花哨或者过于简陋,而是找到了一个完美的平衡点,既有学术的严谨感,又不失现代出版物的审美水准。这种对细节的关注,往往预示着内容本身也经过了反复的推敲和打磨,让人相信作者和出版社在制作过程中投入了极大的热情和专业精神。相信这本书,不仅是一本知识的载体,也是一件值得收藏的物品。
评分坦白说,光是看着这本书的厚度和分量,我就知道里面塞满了相当扎实的干货,这是一种基于经验的直觉判断。厚重的书籍往往意味着对主题的覆盖面广度和深度都达到了相当的水平,它承诺的不仅仅是基础知识的普及,更有对前沿技术和细微差别的探讨。这种“大部头”的形态,本身就带有一种权威性和完整性的暗示,让人相信它能够成为未来很长一段时间内,我在相关领域遇到问题时,可以反复查阅和参阅的权威参考书。它所蕴含的知识密度,似乎预示着每一页的阅读都需要投入充分的精力和思考,这并非一本可以轻松快速浏览的读物,而更像是一个需要投入时间和心血去探索的知识宝库。这种对内容深度的承诺,是它最吸引人之处。
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