基本信息
书名:图形化半导体材料特性手册
定价:118.00元
作者:季振国
出版社:科学出版社
出版日期:2013-11-01
ISBN:9787030390103
字数:
页码:
版次:5
装帧:平装
开本:16开
商品重量:0.4kg
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内容提要
电子信息材料是发展极为迅速的一类材料,但是缺少相关的特性手册。已有的类似书籍要不数据量少,要不数据陈旧,满足不了读者的需要。本书收集了大量的已经发表的实验数据,结合作者多年来的实验数据,编写了这部手册。为了便于读者进行数据处理和比较,作者操作性地把收集到的实验数据通过数值化手段转换为数据文件,便于读者进行各种数据处理。手册数据量大,特性齐全,非常适合相关领域的科技工作者和研究生使用。
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文摘
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序言
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这本《图形化半导体材料特性手册》着实让人眼前一亮,尤其是在我们这个行业里,很多手册都偏向于枯燥的理论推导和密密麻麻的公式,读起来费劲不说,理解起来更是需要花费大量精力。但是这本书,从拿到手的第一感觉就是“直观”。它似乎完全理解了工程师和研发人员的需求,我们需要的不是深奥的物理学证明,而是能在第一时间把材料的性能参数和实际应用场景联系起来的工具。书里的图表设计得非常精妙,色彩搭配和布局都充满了现代感,完全不像传统技术手册那样板着脸孔。例如,在介绍某种新型二维材料的载流子迁移率时,它不是简单地给出一个数字,而是通过一系列对比鲜明的曲线图,直观地展示了温度、掺杂浓度和电场强度变化时,性能是如何波动的。这种“所见即所得”的设计哲学,极大地加快了我的信息获取速度。我记得有一次为了赶一个项目进度,需要快速评估几种不同氧化层厚度对器件阈值电压的影响,翻阅其他资料耗费了半小时才找到需要的图表,而这本书,仅仅用了不到五分钟,清晰的坐标轴和图例就让我心中有数了。这种对用户体验的极致追求,让它不仅仅是一本工具书,更像是一个高效的图形化数据分析平台。如果非要挑剔一点,或许某些罕见或新兴的超高频材料的详细族谱信息可以再丰富一些,但就目前覆盖的主流和次主流材料而言,它的出色已经毋庸置疑了。
评分阅读《图形化半导体材料特性手册》的过程,更像是一次沉浸式的互动体验,而不是被动地接受信息。这本书在数据可视化方面的投入是惊人的,它似乎深谙“人类大脑处理图像信息的速度远超文字”的道理。举个例子,对于不同族群半导体(如III-V族和IV族硅基材料)的电子结构差异,它没有用复杂的哈密顿量公式来解释,而是使用了非常巧妙的“能带地形图”,通过颜色的深浅和等高线的疏密,清晰地展示了不同材料在布里渊区内的能量分布差异。这种信息编码方式,极大地降低了初学者的理解门槛,同时又不牺牲专业度。我发现,书中对“应力与应变”对能带结构影响的解读,尤其具有启发性。它通过一套标准化的应力-能带偏移量图集,让我们可以迅速预判在特定晶格失配下器件性能会如何偏移。这比纯粹依赖查表要实用得多。这本书的排版也体现出对细节的执着——页边距的留白、字体字号的选用,都使得长时间阅读也不会产生强烈的视觉疲劳。它成功的关键在于,将复杂的、抽象的材料物理性质,成功地“翻译”成了可操作的、可视化的工程数据。对于希望在快速迭代的半导体领域保持领先地位的研发人员来说,这本书是不可或缺的视觉辅助工具。
评分这本书的价值,在于它建立了一套统一的“材料性能语言”。在半导体行业,不同研究组之间,甚至不同公司内部,对同一个材料的描述方式往往存在歧义或侧重点不同。而这本手册通过其独特的图形化标准,极大地缓解了这种沟通障碍。它在介绍不同掺杂剂在硅基或砷化镓中引入的局域势阱时,不仅仅提供了图谱,还附带了一套基于该图谱的“快速诊断流程图”。例如,当你观察到器件出现特定的漏电流特征时,手册会引导你通过几张图的交叉对比,锁定最可能的缺陷类型和浓度范围。这种流程化的信息呈现,使其不仅仅是参考资料,更像是一个内置了专家系统的诊断伙伴。我曾用它来对比过几家供应商提供的同类型氮化物半导体材料的质量差异,通过比对书中提供的“理想界面粗糙度与实际结果的偏差图”,我能快速识别出哪批材料在界面控制上有明显短板。这种基于可视化证据的判断,比单纯相信供应商提供的规格书要可靠得多。这本书的编纂者显然花费了巨大的心血来保证这些图形的一致性和科学严谨性,这使得它在众多资料中脱颖而出,成为一个值得信赖的性能基准平台。
评分拿到这本书时,我原本是抱着一种“试试看”的心态,毕竟市面上关于半导体材料的参考书汗牛充栋,真正能称得上“必备”的凤毛麟角。然而,这本书的独特之处在于它对“特性”的解读维度非常全面且深入。它不满足于仅仅列出带隙、介电常数这些基础参数,而是深入挖掘了这些参数在实际制造工艺中的敏感性和鲁棒性。比如,在讨论SOI(硅上绝缘体)结构时,书中花费了大量篇幅去图解应力弛豫对亚阈值摆幅的影响,这种从材料本征特性到工艺窗口的跨越式关联分析,是其他手册中鲜少见到的。我特别欣赏它在热力学稳定性和化学兼容性部分的处理方式。通常这些内容要么被一笔带过,要么就是堆砌大量的热力学平衡图,但这本书用一系列三维的相图和等值线图,清晰地标示了不同沉积温度和气氛下可能出现的界面缺陷区域。这对于我们进行高温退火和钝化工艺优化时,简直是提供了导航地图。它迫使读者不再孤立地看待材料参数,而是将其置于整个半导体器件制造的复杂流程中去理解。说实话,这本书已经超出了“手册”的范畴,更像是一本结合了材料科学和先进工艺集成的高阶参考指南。唯一美中不足的是,对于光电器件中涉及的载流子寿命分布图谱,我希望能够看到更细致的深度剖面分析,但总体而言,其专业深度和广度令人敬佩。
评分这本书给我的感觉,就是一位经验老到的资深工程师,把毕生的经验以最精炼、最直观的方式整理了出来。它的结构布局简直是教科书级别的典范。它没有采用按元素周期表或者按晶体结构分类的传统模式,而是采用了基于“功能导向”的分类体系。例如,有一个专门的章节是“高K/金属栅极工艺所需材料的界面特性对比”,这个分类直接命中了当前CMOS技术节点的核心痛点。书中的每一页都像精心设计的仪表盘,你不需要阅读大段文字,只需扫一眼图表和旁边的关键标注,就能立即掌握核心信息。我尤其喜欢它对“缺陷工程”部分的图示化处理。它不仅仅展示了空位和间隙原子的能级位置,还配有晶格缺陷的透视图,甚至模拟了电子在缺陷势阱中的捕获和陷阱过程。这种多尺度、多维度的信息整合能力,极大地提升了阅读效率。我发现,当我需要快速复习或向新加入团队的成员介绍某个材料的“脾气秉性”时,我都会直接翻到这本书对应的图表,这比口头描述效率高出不止一个数量级。这本书的编排思路,无疑是为效率而生的。如果说有什么需要改进,或许在对特定应力(如电迁移或ESD事件)下的材料降级路径分析上,可以增加一些更动态的模拟结果展示,但目前这种静态展示也已属上乘。
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