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中华人民共和国国家知识产权局 编

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出版社： 知识产权出版社

ISBN：9787513024662

版次：1

商品编码：11405091

包装：精装

开本：16开

出版时间：2014-01-01

用纸：胶版纸

页数：574

字数：664000

正文语种：中文，日文

内容简介

　　《专利审查指南（2010）》主要内容包括：第一部分（初步审查）、第二部分（实质审查）、第三部分（进入国家阶段的国际申请的审查）、第四部分（复审与无效请求的审查）和第五部分（专利申请及事务处理）。一、二、四部分按专利申请的审批流程顺序排列，第三部分为进入国家阶段的国际申请审查的具体规定，第五部分为适用各程序的通用规则。

内页插图

目录

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前言/序言

好的，这是一份针对一部与《专利审查指南（2010）》无关的图书的详细简介。为了满足您的要求，我将聚焦于一部完全不同的、内容详实的专业书籍。 --- 《现代集成电路设计与制造工艺：从纳米尺度到系统级封装》 图书核心主题： 本书深入剖析了二十一世纪以来集成电路（IC）设计领域所面临的根本性挑战，特别是如何驾驭极小化工艺（如7nm及以下节点）带来的物理限制，并系统性地介绍了实现高密度、高能效、高可靠性芯片的尖端设计方法论和先进制造工艺流程。 目标读者群体： 本书面向电子工程、微电子学、材料科学等相关专业的本科高年级学生、研究生、以及在半导体行业从事IC设计（前端/后端）、工艺开发和器件物理研究的工程师与研究人员。 --- 第一部分：半导体器件物理与先进制程的挑战（约350字） 本部分首先回顾了CMOS晶体管的基本工作原理，并迅速过渡到当前半导体技术面临的根本性物理瓶颈。详细分析了尺寸缩放到纳米级后，短沟道效应、量子隧穿效应（尤其是在栅极氧化层和源/漏结）对器件性能的严重影响。 重点探讨了新材料和新结构的引入，例如高介电常数（High-k）栅介质和金属栅极（HKMG）技术如何解决传统二氧化硅栅极的漏电流问题。随后，对FinFET（鳍式场效应晶体管）的几何结构、电荷控制机制及其在20nm及以下节点的关键作用进行了详尽的物理模型阐述和仿真验证。此外，还涵盖了应变硅（Strained Silicon）技术、SOI（绝缘体上硅）结构在提升载流子迁移率方面的应用，以及新兴的后CMOS器件，如FD-SOI（全耗尽SOI）和GAA（环绕栅极）晶体管的初步设计考量。 第二部分：高级电路设计方法学与验证（约450字） 随着设计复杂度的指数级增长，单纯依靠晶体管层面的优化已无法满足性能要求。本部分聚焦于设计收敛性、功耗管理和时序分析的自动化流程。 深入讲解了标准单元库的构建和优化，特别是在低功耗设计中，如何平衡阈值电压（Vt）的分配以应对亚阈值泄漏电流（Subthreshold Leakage）。关于时序方面，详细阐述了静态时序分析（STA）在深亚微米工艺中的局限性，以及如何引入先进的功耗感知型时序分析（Power-Aware STA）技术，处理动态功耗与静态功耗的相互影响。 在物理设计（后端）流程中，本书着重介绍了定制化布局规划（Custom Layout Planning）在高性能计算（HPC）和移动SoC中的关键作用。内容包括： 1. 布线拥塞的预测与缓解：利用层次化设计和模块化划分策略。 2. IR Drop（电压降）分析：在电源网络设计中，如何通过优化金属层选择和加固电源轨来确保芯片在最大工作频率下的电压稳定性。 3. 寄生参数提取与建模：处理越来越显著的互连延迟和串扰效应，特别是对高阶RC模型的精确提取和仿真。 第三部分：集成电路制造工艺流程深度解析（约450字） 本部分将读者带入半导体晶圆厂（Fab）的核心，详细解析了从硅片准备到最终封装的复杂制造步骤，尤其侧重于极紫外光刻（EUV）和先进薄膜沉积技术。 光刻技术是核心章节之一。不仅涵盖了DUV（深紫外光刻）的多重曝光技术（SADP/SAQP），更对EUV技术的工作原理、掩模版挑战（如掩模缺陷控制）以及其在实现极小特征尺寸中的决定性地位进行了深入分析。 薄膜沉积与刻蚀：详细比较了PVD（物理气相沉积）、CVD（化学气相沉积）和ALD（原子层沉积）在精确控制层厚和薄膜均匀性方面的优缺点。在刻蚀方面，重点讨论了反应离子刻蚀（RIE）如何通过调整工艺窗口来控制侧壁陡峭度和均匀性，特别是对于三维结构（如FinFET）刻蚀的挑战。 此外，本书还专题讨论了先进封装技术，如2.5D/3D IC集成（如TSV——硅通孔）的制造挑战，以及这些技术如何重新定义了“芯片”的边界，为系统级性能的提升提供了新的维度。 第四部分：可靠性、测试与未来趋势（约250字） 最后，本书关注于保障复杂芯片长期稳定运行的关键技术。 可靠性分析部分涵盖了应对电迁移（EM）、静电放电（ESD）防护网络的设计，以及热效应在芯片老化中的加速作用。特别关注了新兴的制造工艺变异（Process Variation）如何影响电路的良率和性能，以及如何通过设计冗余和变异感知型设计（VSD）进行补偿。 测试与可制造性设计（DFM）被视为贯穿整个流程的关键环节。详细介绍了扫描链（Scan Chain）的插入、内建自测试（BIST）的架构，以及如何通过在设计阶段就考虑制造约束，从而降低最终的制造成本和提高良率。 总结部分展望了摩尔定律的延续与转变，探讨了类脑计算芯片、光子集成电路等前沿领域对现有设计和制造范式的潜在颠覆。 --- 本书的独特价值： 《现代集成电路设计与制造工艺》的价值在于其对“设计”与“制造”两大领域进行了无缝连接的阐述。它不仅停留在理论介绍，而是紧密结合当前业界最先进的工艺节点（如5nm及以下）和主流EDA工具的实际应用逻辑，为读者提供了一个从底层物理现象到系统级架构的完整、可操作的知识体系。书中包含大量翔实的图表、仿真数据和案例分析，确保了理论的深度和实践指导性。

评分☆☆☆☆☆

说实话，我入手这本《专利审查指南（2010）》纯粹是出于一种偶然。当时在书店里漫无目的地闲逛，看到这本书的排版和设计，就觉得它和市面上很多浮夸的书籍不一样，显得特别“务实”。我一直觉得，真正有价值的书籍，往往不需要花哨的宣传，它本身的内容就足以说明一切。我期待它能提供一种全新的视角，让我能够以一种更具系统性的方式来理解某个之前一直让我感到困惑的领域。我希望这本书能帮助我跳出思维定势，看到那些被我忽略的细节。有时候，一个好的“指南”就能像黑暗中的灯塔，指引你找到正确的方向。我不是一个容易满足于浅尝辄止的人，我喜欢深入探究事物的本质，而我感觉这本书可能就具备这样的深度。我希望能从中学到一些能够实际应用到工作中的方法，提升自己的专业能力。

评分☆☆☆☆☆

我把这本《专利审查指南（2010）》放在书架上，总觉得它自带一种“力量”。它给人的感觉，就像一个经验丰富的智者，静静地等待着我去向他请教。我不是那种喜欢碎片化阅读的人，我更倾向于沉下心来，去理解一本书的整体逻辑和脉络。我期待这本书能够帮助我建立起一个坚实的知识体系，让我对某个领域有一个全面的认识，而不是零散的片段。我希望它能提供给我一种“全局观”，让我能够看到事物之间千丝万缕的联系，从而做出更明智的决策。有时候，一个小小的“指南”就能让你少走很多弯路，甚至避免走上歧途。我希望这本书能够成为我的“导航仪”，让我能够在这个复杂的知识海洋中，找到自己前进的方向。

评分☆☆☆☆☆

收到！以下是五段以读者口吻撰写的、不包含《专利审查指南（2010）》具体内容的图书评价，每段独立且风格迥异，字数约300字： 这本《专利审查指南（2010）》的外观就透着一股严谨的气息，厚实的书脊和清晰的字体，一看就知道是经过精心编排的。我最初是被它“指南”这个名字吸引来的，心里想着，大概是某个领域的权威指导，能够帮助我理清一些复杂的概念。毕竟，在这个信息爆炸的时代，找到一本真正能够“指南”方向的书籍是多么不容易。我尤其看重的是那种能够条理分明地解释问题，并且提供实际操作建议的书。虽然我还没能深入研究它的具体内容，但仅从它给人的整体印象来看，我期待它能成为我学习某个新领域时的一块敲门砖，帮助我快速建立起基本的框架，不再像之前那样无从下手。它提供的不仅仅是知识，更是一种学习的方法论，让我觉得即使面对再陌生的领域，也能有一个清晰的路径去探索。我希望它能帮我避免走弯路，快速掌握核心要点，最终能够独立地思考和判断。

评分☆☆☆☆☆

这本《专利审查指南（2010）》带给我的，是一种沉甸甸的责任感。当我翻开它的那一页，一股历史的厚重感扑面而来，仿佛它承载着无数经验和智慧。我把它看作是一份宝贵的遗产，需要我去认真研读、体会。我希望通过这本书，能够培养出一种严谨的治学态度，学会如何去分析和判断，而不是人云亦云。我尤其看重的是那种能够启发思考的书籍，它们不直接给出答案，而是引导你去寻找答案的过程。我相信，真正有价值的知识，都是通过自己一步一步摸索出来的。这本书，我希望它能成为我思维的“磨刀石”，帮助我打磨出更锋利的见解，去应对未来可能遇到的各种挑战。我期待着在书页之间，发现那些能够改变我认知模式的深刻洞见。

评分☆☆☆☆☆

这本《专利审查指南（2010）》的外壳，虽然朴实无华，却散发着一种经久不衰的魅力。在我看来，一本真正的好书，不在于它的包装有多么华丽，而在于它能否在读者心中留下深刻的印记。我希望通过阅读这本书，能够培养出一种独立思考的能力，不再轻易被外界的信息所干扰，而是能够形成自己的判断。我期待它能够成为我学习过程中的“良师益友”，在我迷茫的时候给予启发，在我困惑的时候提供指引。我尤其看重的是那种能够帮助我构建思维模型，并且能够灵活运用的书籍。我相信，好的“指南”能够帮助我认识到自己的不足，并且指明改进的方向。我希望这本书能成为我成长道路上的一个重要里程碑，让我能够不断超越自己。