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方志烈著

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出版社：电子工业出版社

ISBN：9787121340369

商品编码：29743475655

包装：平装-胶订

出版时间：2018-04-01

具体描述

图书基本信息
图书名称	半导体照明技术
作者	方志烈
定价	79.00元
出版社	电子工业出版社
ISBN	9787121340369
出版日期	2018-04-01
字数
页码
版次	1
装帧	平装-胶订
开本	16开
商品重量	0.4Kg

内容简介
本书在介绍半导体照明器件———发光二极管的材料、机理及其制造技术的同时，详细讲解了器件的光电参数测试方法，器件的可靠性分析、驱动和控制方法，以及各种半导体照明的应用技术。本书内容系统、全面，通过理论联系实际，重点突出了 “半导体照明”主题，反映了外*的应用技术。

作者简介
方志烈，1938年2月出生于江苏江阴。1961年毕业于复旦大学并留校任教，现任该校教授。中国发光学会理事。上海市通信学会光通信专业委员会委员。

章光视觉颜色
1��1光
1��1��1光的本质
1��1��2光的产生和传播
1��1��3人眼的光谱灵敏度
1��1��4光度学及其测量
1��2视觉
1��2��1作为光学系统的人眼
1��2��2视觉的特征与功能
1��3颜色
1��3��1颜色的性质
1��3��2国际照明委员会色度学系统
1��3��3色度学及其测量
第2章光源
2��1自然光源
2��1��1太阳
2��1��2月亮和行星
2��2人工光源
2��2��1人工光源的发明与发展
2��2��2白炽灯
2��2��3卤钨灯
2��2��4荧光灯
2��2��5低压钠灯
2��2��6高压放电灯
2��2��7无电极放电灯
2��2��8发光二极管
2��2��9照明的经济核算
第3章半导体发光材料晶体导论
3��1晶体结构
3��1��1空间点阵
3��1��2晶面与晶向
3��1��3闪锌矿结构、金刚石结构和纤锌矿结构
3��1��4缺陷及其对发光的影响
3��2能带结构
3��3半导体晶体材料的电学性质
3��3��1费米能级和载流子
3��3��2载流子的漂移和迁移率
3��3��3电阻率和载流子浓度
3��3��4寿命
3��4半导体发光材料的条件
3��4��1带隙宽度合适
3��4��2可获得电导率高的p型和n型晶体
3��4��3可获得完整性好的优质晶体
3��4��4发光复合概率大
第4章半导体的激发与发光
4��1pn结及其特性
4��1��1理想的pn结
4��1��2实际的pn结
4��2注入载流子的复合
4��2��1复合的种类
4��2��2辐射型复合
4��2��3非辐射型复合
4��3辐射与非辐射复合之间的竞争
4��4异质结构和量子阱
4��4��1异质结构
4��4��2量子阱
第5章半导体发光材料体系
5��1砷化镓
5��2磷化镓
5��3磷砷化镓
5��3��1GaAs0��60P0��40/GaAs
5��3��2晶体中的杂质和缺陷对发光效率的影响
5��4镓铝砷
5��5铝镓铟磷
5��6铟镓氮
第6章半导体照明光源的发展和特征参量
6��1发光二极管的发展
6��2发光二极管材料生长方法
6��3高亮度发光二极管芯片结构
6��3��1单量子阱（SQW）结构
6��3��2多量子阱（MQW）结构
6��3��3分布布拉格反射（DBR）结构
6��3��4透明衬底技术（Transparent Substrate，TS）
6��3��5镜面衬底（Mirror Substrate，MS）
6��3��6透明胶质黏结型
6��3��7表面纹理结构
6��4照明用LED的特征参数和要求
6��4��1光通量
6��4��2发光效率
6��4��3显色指数
6��4��4色温
6��4��5寿命
6��4��6稳定性
6��4��7热阻
6��4��8抗静电性能
第7章磷砷化镓、磷化镓、镓铝砷材料生长
7��1磷砷化镓氢化物气相外延生长（HVPE）
7��2氢化物外延体系的热力学分析
7��3液相外延原理
7��4磷化镓的液相外延
7��4��1磷化镓绿色发光材料外延生长
7��4��2磷化镓红色发光材料外延生长
7��5镓铝砷的液相外延
第8章铝镓铟磷发光二极管
8��1AlGaInP金属有机物化学气相沉积通论
8��1��1源材料
8��1��2生长条件
8��1��3器件生长
8��2外延材料的规模生产问题
8��2��1反应器问题:输送和排空处理
8��2��2均匀性的重要性
8��2��3源的质量问题
8��2��4颜色控制问题
8��2��5生产损耗问题
8��3电流扩展
8��3��1欧姆接触的改进
8��3��2p型衬底上生长
8��3��3电流扩展窗层
8��3��4氧化铟锡（ITO）
8��4电流阻挡结构
8��5光的取出
8��5��1上窗设计
8��5��2衬底吸收
8��5��3分布布拉格反射LED
8��5��4GaP晶片黏结透明衬底LED
8��5��5胶质黏着（蓝宝石晶片黏结）
8��5��6纹理表面结构
8��6芯片制造技术
8��7器件特性
第9章铟镓氮发光二极管
9��1GaN生长
9��1��1未掺杂GaN
9��1��2n型GaN
9��1��3p型GaN
9��1��4GaN pn结LED
9��2InGaN生长
9��2��1未掺InGaN
9��2��2掺杂InGaN
9��3InGaN LED
9��3��1InGaN/GaN双异质结LED
9��3��2InGaN/AlGaN双异质结LED
9��3��3InGaN单量子阱（SQW）结构LED
9��3��4高亮度绿色和蓝色LED
9��3��5InGaN多量子阱（MQW）结构LED
9��3��6紫外LED
9��3��7AlGaN深紫外LED
9��3��8硅衬底GaN蓝光LED
9��4提高质量和降低成本的几个重要技术问题
9��4��1衬底
9��4��2缓冲层
9��4��3激光剥离（LLO）
9��4��4氧化铟锡（ITO）
9��4��5表面纹理结构
9��4��6图形衬底技术（PSS）
9��4��7微矩阵发光二极管（MALED）
9��4��8光子晶体（Photonic Crystal，PC）LED
9��4��9金属垂直光子LED（MVP LED）
0章LED芯片制造技术
10��1光刻技术
10��2氮化硅生长
10��3扩散
10��4欧姆接触电极
10��5ITO透明电极
10��6表面粗化
10��7光子晶体
10��8激光剥离（Laser Lift�瞣ff，LLO）
10��9倒装芯片技术
10��10垂直结构芯片技术
10��11芯片的切割
10��12LED芯片结构的发展
1章白光发光二极管
11��1新世纪光源的研制目标
11��2人造白光的佳化
11��2��1发光效率和显色性的折中
11��2��2二基色体系
11��2��3多基色体系
11��3荧光粉转换白光LED
11��3��1二基色荧光粉转换白光LED
11��3��2多基色荧光粉转换白光LED
11��3��3紫外LED激发多基色荧光粉
11��4多芯片白光LED
11��4��1二基色多芯片白光LED
11��4��2多基色多芯片白光LED
2章LED封装技术
12��1LED器件的设计
12��1��1设计原则
12��1��2电学设计
12��1��3热学设计
12��1��4光学设计
12��1��5视觉因素
12��2LED封装技术
12��2��1小功率LED封装
12��2��2SMD LED的封装
12��2��3芯片级封装（CSP）
12��2��4大电流LED的封装
12��2��5功率LED的封装
12��2��6功率LED组件
12��2��7铟镓氮类LED的防静电措施
3章发光二极管的测试
13��1发光器件的效率
13��1��1发光效率
13��1��2功率效率
13��1��3量子效率
13��2电学参数
13��2��1伏安特性
13��2��2总电容
13��3光电特性参数——光电响应特性
13��4光度学参数
13��4��1法向光强I0的测定
13��4��2发光强度角分布（半强度角和偏差角）
13��4��3总光通量的测量
13��4��4量值传递
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