基本信息
书名:用于恶劣环境的碳化硅微机电系统
定价:35.00元
作者:(英)张,王晓浩,唐飞,王文弢
出版社:科学出版社
出版日期:2010-03-01
ISBN:9787030268624
字数:
页码:
版次:1
装帧:平装
开本:16开
商品重量:0.640kg
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内容提要
碳化硅以其优异的温度特性、电迁移特性、机械特性等,越来越被微电子和微机电系统研究领域所关注,不断有新的研究群体介入这一材料及其应用的研究。《用于恶劣环境的碳化硅微机电系统》是目前译者见到的一本系统论述碳化硅微机电系统的著作,作者是来自英国、美国从事碳化硅微机电系统研究的几位学者,他们系统综述了碳化硅生长、加工、接触、腐蚀和应用等环节的技术和现状,汇聚了作者大量的经验和智慧。
《用于恶劣环境的碳化硅微机电系统》可供从事微电子、微机械研究的科研人员参考阅读,也可以作为研究生专业课程教材或参考书目。
目录
作者介绍
文摘
序言
这本书的实践指导意义,体现在它对异质集成的深刻洞察上。碳化硅本身性能优越,但在驱动电路和信号处理方面,我们仍然离不开传统的CMOS技术,如何让SiC MEMS的苛刻工作条件与硅基ASIC的脆弱性共存,一直是工程上的老大难。书中专门介绍了几种高低温接口电路设计的策略,特别是关于如何利用SiC的宽禁带来实现高电压驱动和低噪声信号采集的隔离方案。我特别关注了其中关于电荷泵和锁相环(PLL)在强电磁干扰环境下保持稳定性的章节,作者利用SiC的低寄生电容特性,提出了几套独特的电路拓扑结构来提高抗干扰能力。这套思路为我们解决下一代高精度惯性导航系统中的“零点漂移”问题提供了全新的硬件架构思路,而不是仅仅停留在软件滤波上。这本书与其说是一本教科书,不如说是一部深入前沿的工程实践报告集,其内容的“新”和“深”,让人读完后立刻有冲动想去实验室验证书中的每一个提议。
评分这本《用于恶劣环境的碳化硅微机电系统》简直是为我这种常年和高温、高压、高频振动打交道的工程师量身定做的宝典!我印象最深的是它对SiC材料的本征特性进行了极其深入的剖析,简直是从原子层面给你捋了一遍,让你彻底明白为什么它能在极端条件下表现得如此“硬核”。书中详细对比了传统硅基MEMS在热膨胀系数、击穿场强以及化学惰性上的短板,然后无缝对接到了碳化硅的优势领域。尤其值得称赞的是,作者没有停留在理论层面,而是提供了大量实际的工艺流程图和失效分析案例。我记得有一章专门讲了深反应离子刻蚀(DRIE)在制作高深宽比SiC结构时的工艺窗口优化,那些参数的敏感性和控制难点,读起来简直让人感同身受,仿佛自己就在洁净室里操作显微镜。对于我正在开发的航空发动机状态监测传感器来说,这本书提供的思路——如何通过结构设计来耦合材料优势、有效规避机械共振峰和热应力导致的漂移——是具有极高的指导价值的。这本书的深度和广度,远超出了市面上那些只停留在应用层面的教材,更像是一部结合了材料科学、半导体物理和精密机械工程的“武功秘籍”。
评分说实话,我初次拿起这本书时,对“微机电系统”和“碳化硅”的结合感到有些望而生畏,担心里面充斥着晦涩难懂的数学公式和物理定律。然而,这本书的叙事方式却出乎意料地流畅且富有启发性。它并没有简单地罗列公式,而是巧妙地将复杂的电磁学、热力学与MEMS器件的动态响应联系起来。我尤其欣赏作者在阐述压阻效应和压电效应在SiC材料中实现传感功能时的那种循序渐进的讲解。它没有直接给出最终模型,而是从晶格结构的变化如何影响载流子迁移率开始讲起,再到如何设计出具有高灵敏度和低迟滞性的结构。这种由微观到宏观的解构方式,极大地帮助我理解了那些看似玄妙的性能指标背后的物理本质。对于初学者来说,这可能需要一定的耐心,但对于想要深入理解SiC MEMS器件可靠性和长期稳定性的研发人员来说,这种详尽的底层逻辑梳理是无可替代的。读完后,我对过去处理那些“温度补偿”问题时采取的经验主义方法深感汗颜,这本书提供了一套更具科学基础的解决框架。
评分对于我们这种需要进行跨学科合作的项目组来说,这本书的价值在于它提供了一套通用且严谨的语言体系。我的团队里有材料科学家、电子工程师和结构设计师,过去我们常常因为对“可靠性”的定义不同而产生分歧。这本书在论述SiC的疲劳寿命预测模型时,清晰地区分了热机械疲劳、电迁移和辐射损伤,并为每一种损伤机制提供了相应的威布尔分布或科尔莫戈洛夫-史米尔诺夫检验的应用示例。这不仅统一了我们的术语,更重要的是,它提供了一种量化评估不同设计选择风险的共同框架。例如,当讨论到封装技术时,书中花了相当篇幅对比了共晶键合和活性钎焊在应对SiC高工作温度下的密封完整性问题上的优劣。这种跨越材料、器件和封装的整体视角,避免了将任何一个环节视为孤岛进行优化而导致的系统性失败。
评分这本书的排版和图表质量简直是工业级水准,这对于一本技术专著来说至关重要。我拿到的精装版本,纸张的质感很好,即便是打印在图表上那些密集的仿真结果曲线和有限元分析(FEA)网格划分图,细节也清晰可辨,这在查阅关键数据时避免了很大的麻烦。有一部分内容专门讨论了SiC基陀螺仪在高G环境下的抗冲击设计。书中提供了一系列不同悬臂梁结构(如梁式、环形、双质量块)在瞬态载荷下的应力集中点分析图,这些图示直观地展示了如何通过优化支撑点的几何形状来分散冲击能量,避免应力梯度过大导致的结构疲劳。更让我惊喜的是,书中穿插了几页对当前前沿光刻技术在SiC晶圆上实现高精度图案转移的讨论,包括激光直写和离子束辅助刻蚀等,这表明作者的视野紧跟行业最新进展,而不是仅仅停留在成熟工艺的介绍上。这种对“制造可行性”的同步考量,让理论设计更具落地性。
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