普通高等教育“十一五”電子信息類規劃教材：半導體物理與器件 pdf epub mobi txt 電子書 下載 2025

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裴素華 等 著

圖書標籤:

• 半導體物理
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• 教材
• 物理學
• 電子工程
• 固體物理
• 微電子學
• 十一五規劃教材

齣版社： 機械工業齣版社

ISBN：9787111247319

版次：1

商品編碼：10133453

品牌：機工齣版

包裝：平裝

開本：16開

齣版時間：2008-09-01

用紙：膠版紙

頁數：327

字數：519000

正文語種：中文

內容簡介

　　本書較係統全麵地闡述瞭半導體物理的基礎知識和典型半導體器件的工作原理、工作特性。具體內容包括：半導體材料的基本性質、PN結機理與特性、雙極型晶體管、MOS場效應晶體管、半導體器件製備技術、Ga在SiO（2）/Si結構下的開管摻雜共6章。每章後附有內容小結、思考題和習題。書後有附錄，附錄A是《半導體物理與器件》的主要符號錶，附錄B是常用物理常數錶，附錄c是鍺、矽、砷化鎵主要物理性質錶，附錄D是求擴散結雜質濃度梯度的圖錶和方法。對《半導體物理與器件》各章內容可以單獨選擇或任意組閤使用。
　　《半導體物理與器件》可作為半導體、微電子技術、應用物理等電子信息類專業本科生的必修教材，也可作為電子學相關專業本科生、研究生選修課教材，以及供信息技術領域人員參考。《半導體物理與器件》配有免費的教學課件，歡迎選用《半導體物理與器件》作為教材的老師索取。

目錄

前言
第1章　半導體材料的基本性質
1.1　半導體與基本晶體結構
1.1.1　半導體
1.1.2　半導體材料的基本特性
1.1.3　半導體的晶體結構
1.1.4　晶麵及其錶示方法
1.1.5　半導體材料簡介
1.2　半導體的能帶
1.2.1　孤立原子中電子能級
1.2.2　晶體中電子的能帶
1.2.3　矽晶體能帶的形成過程
1.2.4　能帶圖的意義及簡化錶示
1.3　本徵半導體與本徵載流子濃度
1.3.1　本徵半導體的導電機構
1.3.2　熱平衡狀態與熱平衡載流子濃度
1.3.3　本徵載流子濃度
1.3.4　費米能級與載流子濃度的關係
1.4　雜質半導體與雜質半導體的載流子濃度
1.4.1　N型半導體與P型半導體
1.4.2　施主與受主雜質能級
1.4.3　雜質半導體的載流子濃度
1.4.4　雜質半導體的費米能級及其與雜質濃度的關係
1.4.5　雜質半導體隨溫度的變化
1.5　非平衡載流子
1.5.1　非平衡載流子的産生
1.5.2　非平衡載流子的壽命
1.5.3　非平衡載流子的復閤類型
1.5.4　準費米能級
1.6　載流子的漂移運動
1.6.1　載流子的熱運動與漂移運動
1.6.2　遷移率
1.6.3　半導體樣品中的漂移電流密度
1.6.4　半導體的電阻率
1.7　載流子的擴散運動
1.7.1　擴散方程的建立
1.7.2　根據相應的邊界條件確定△p(x)的特解
1.7.3　擴散係數與遷移率的關係愛因斯坦關係式
1.7.4　擴散長度的物理意義
1.7.5　連續性方程
本章小結
思考題和習題
第2章　PN結機理與特性
2.1　平衡PN結的機理與特性
2.1.1　PN結的製備與雜質分布
2.1.2　平衡PN結形成與能帶
2.1.3　平衡PN結的接觸電勢差
2.1.4　平衡PN結的載流子濃度分布
2.2　正嚮PN結機理與特性
2.2.1　正嚮偏置與正嚮注入效應
2.2.2　正嚮PN結邊界少子濃度和少子濃度分布
2.2.3　正嚮PN結電流一電壓方程式
2.2.4　PN結正嚮電流的討論’
2.2.5　PN結的大注入效應
2.2.6　正嚮PN結空間電荷區復閤電流
2.3　反嚮PN結的機理與特性
2.3.1　反嚮偏置與反嚮抽取作用
2.3.2　反嚮PN結邊界少子濃度和少子濃度分布
2.3.3　反嚮PN結電流-電壓方程式
2.3.4　反嚮PN結空間電荷區的産生電流
2.3.5　PN結錶麵漏電流
2.3.6　PN結的伏安特性
2.4　PN結空間電荷區的電場、電位分布和寬度
……
第3章　雙極型晶體管
第4章　MOS場效應晶體管
第5章　半導體器件製備技術
第6章　Ga在SiO2/Si結構下的開管摻雜
參考文獻

精彩書摘

　　第1章半導體材料的基本性質
　　作為一名信息社會的大學生，尤其是應用物理、微電子學、微電子技術、計算機科學、電子工程與技術、材料科學、自動控製、電機工程、通信等專業的本科生和研究生，可能會問為什麼要學習半導體物理與器件？答案很簡單，其一，自1998年以來，以半導體器件為基礎的電子工業已發展成為世界上規模最大的工業；其二，當你們擁有半導體器件最基本的知識後，對深入理解和應用電子學的相關課程幫助很大，從而使你們對現在這個由電子技術發展而來的信息時代貢獻會更大。
　　半導體物理學是半導體器件物理的基礎，為此《半導體物理與器件》首要概括敘述半導體物理學的基本內容，著重介紹半導體材料的基本特性及其與器件原理相關的概念和結論。本章以3種最重要的半導體材料：矽（si）、鍺（Ge）、砷化鎵（GaAs）為對象，介紹半導體的晶體結構，在此基礎上簡要論述能帶理論；求齣熱平衡條件下本徵半導體的載流子濃度；介紹雜質半導體及其相關特性；敘述非平衡載流子的産生、復閤與壽命；對半導體中載流子的漂移運動和擴散運動進行討論，並建立起連續性方程，為第2章PN結及全書的內容奠定基礎。
　　1.1半導體與基本晶體結構
　　1.1.1半導體
　　自然界中的物質大緻可分為氣體、液體、固體、等離子體4種基本形態。因晶體管、集成電路均為固體器件，所以我們關注的是固體材料。對於固體材料，若按結構形式可分為晶體與非晶體兩類，而晶體又可分為單晶體和多晶體兩種。目前用來製造半導體器件的典型半導體材料矽、鍺、砷化鎵還必須是單晶體。除此之外，對於固體材料，若按它們的導電能力則可以分為導體、絕緣體和半導體3種。

前言/序言

　　20世紀50年代晶體管誕生以來，微電子學及其相關技術迅速發展，現已成為整個信息時代的標誌與基礎。以半導體器件為核心的電子工業，從1998年開始，已發展成為世界上規模最大的工業。發展電子工業是弱國變為強國的必由之路，顯然培養該專業及相關專業的人纔是柑當重要的。編著本書的目的正是為各高校近年來新增設的電子信息類專業及其相關的電子科學與技術等專業服務的。
　　《半導體物理與器件》可作為半導體、微電子學、微電子技術、應用物理等專業本科生的必修教材，也可作為其他相關專業如電子學、計算機、自動控製、電子信息與工程乃至文科各專業本科生、研究生的選修教材或自學參考書，同時也可供從事半導體器件設計、製造和應用等信息技術領域的科研與工程技術人員閱讀與參考。
　　本書從係統性和相對獨立性考慮，在內容的選取和編排上力求實用。第l、2章介紹瞭半導體的基本性質和PN結機理與特性，這是半導體物理的基本知識，可單獨作為選修半導體物理教材使用，同時又是後續章節內容的基礎。第3、4章主要介紹瞭雙極型晶體管和MOS場效應晶體管，這是半導體器件中最典型、最普及和最具有代錶性的器件，重點闡述瞭這兩類器件的基本工作原理、特性和電學參數。為有助於初學者對半導體器件理論的理解和掌握，同時增強對微電子學領域的感性認識，培養學習興趣，本書第5章介紹瞭半導體器件製備技術，並涵蓋瞭新技術及發展趨勢。第6章簡明扼要地介紹瞭Ga在SiO：／Si結構下的開管摻雜及其在半導體器件中的應用，這是作者希望通過本教材的齣版，將多年從事微電子技術科研和應用方麵的體會與大傢交流，喚起業內人士對新成果的關注和應用。
　　本書本著突齣重點、通俗易懂的原則，敘述的重點放在瞭基本概念、基本工作原理和性能參數的物理意義上，著重闡述半導體中載流子在各種不同工作條件下的運動過程和變化過程，盡可能地用淺顯易懂的語言錶述復雜的道理，而又不失其精髓。同時，省略瞭煩瑣的數學推導，從而使內容更精練、重點更突齣。在每章後附有本章小結和與內容相配套的思考題與習題。本書後有附錄，附錄A是本書的主要符號錶，附錄B是物理常數錶，附錄c是鍺、矽、砷化鎵主要物理性質錶，附錄D是求擴散結雜質濃度梯度的圖錶和方法。本書各章內容可以單獨選擇或任意組閤使用。
　　本書參考學時為90學時，可根據具體情況由老師任意選擇或相互組閤使用。
　　本書由北京交通大學尹遜和博士擔任主審，審閱瞭書稿，付齣瞭大量的精力和勞動，並提齣瞭許多寶貴的意見和建議，在此錶示衷心的感謝。
　　在本書的編寫過程中，參閱瞭許多的教材與著作，從中汲取瞭不少有益的內容和敘述方法，在此嚮作者們深錶謝意。
　　由於作者水平有限，書中難免存在一些不足、不妥或有誤之處，懇請有關專傢和讀者批評指正。

半導體物理與器件 前言 在信息技術飛速發展的今天，半導體材料與器件作為現代電子工業的基石，其重要性不言而喻。從高性能的計算機芯片到智能手機的處理器，從精密的醫療儀器到廣袤的通信網絡，無不依賴於先進的半導體技術。本書旨在係統深入地闡述半導體物理學的基本原理，並在此基礎上介紹各類半導體器件的工作機製、特性與應用，為有誌於投身於電子信息科學與技術領域的學生和研究人員提供堅實的理論基礎和實踐指導。 本書的編寫，是在“十一五”國傢普通高等教育電子信息類規劃教材的指導下完成的。我們力求內容的前沿性、科學性、係統性與實用性相結閤，既能反映半導體物理與器件領域最新的研究進展，又能緊密結閤工程實際，培養學生紮實的專業功底和解決實際問題的能力。 第一章 緒論 本章將為讀者勾勒齣半導體物理與器件的宏觀圖景。我們將從曆史的視角齣發，迴顧半導體材料從偶然發現到現代信息革命核心的演進曆程。通過介紹半導體在國民經濟和社會發展中的地位與作用，激發讀者對該領域學習的興趣。隨後，我們將明確本書的研究對象——半導體材料，簡要介紹其基本分類（如元素半導體、化閤物半導體、有機半導體等）及其在不同應用場景下的優勢。最後，我們將本書的學習目標、內容安排以及學習方法作一概括性的介紹，幫助讀者建立對全書的整體認知框架。 第二章 晶體結構與晶體缺陷 半導體材料的微觀結構是理解其宏觀電學性質的關鍵。本章將聚焦於半導體材料的晶體結構，重點講解晶體的基本概念，如晶格、基元、晶嚮、晶麵等。我們將以矽（Si）和砷化鎵（GaAs）等典型半導體材料為例，深入分析其常見的晶體結構，如金剛石結構和閃鋅礦結構，並介紹X射綫衍射等錶徵晶體結構的技術。 晶體結構並非總是完美的，缺陷的存在對半導體材料的性能有著至關重要的影響。本章也將詳細探討各種晶體缺陷，包括點缺陷（如空位、填隙原子、取代原子）、綫缺陷（位錯）和麵缺陷（晶界、錶麵）。我們將分析這些缺陷的形成機製、類型及其對載流子濃度、遷移率、復閤等電學特性的影響，為後續理解器件性能的調控奠定基礎。 第三章 能帶理論 能帶理論是理解固體材料導電性的核心物理模型。本章將係統闡述半導體能帶理論。我們將從量子力學基本原理齣發，講解電子在周期性勢場中的運動，引入能帶的形成過程，包括布裏淵區、周期性邊界條件和Bloch定理。 我們重點討論半導體材料的能帶結構，區分導體、絕緣體和半導體的能帶圖特徵。對於半導體，我們將深入分析其價帶、導帶以及它們之間的禁帶寬度。還將介紹直接帶隙和間接帶隙半導體的概念及其對光電性能的影響。此外，本章還將介紹電子和空穴的概念，它們是半導體中載流子的主要形式。 第四章 載流子統計 載流子在半導體中的分布和濃度決定瞭其導電能力。本章將詳細講解載流子統計。我們將介紹費米-狄拉剋分布函數，並在此基礎上推導本徵半導體中電子和空穴的濃度。 對於摻雜半導體，本章將深入分析雜質的引入如何改變半導體的導電類型，即N型半導體和P型半導體的形成。我們將講解施主能級和受主能級，並推導N型和P型半導體中電子和空穴的濃度。還將介紹載流子統計中的關鍵概念，如本徵費米能級、雜質費米能級、有效質量以及載流子的有效質量概念。 第五章 載流子輸運現象 載流子在電場、溫度梯度等作用下的運動構成瞭半導體的電學輸運現象。本章將深入探討載流子輸運。我們將從基本概念入手，講解電導率和遷移率，並介紹歐姆定律在半導體中的應用。 隨後，我們將詳細分析載流子在電場作用下的漂移運動，推導齣漂移電流的錶達式。接著，我們將討論載流子在溫度梯度下的擴散運動，引入菲剋擴散定律，並推導齣擴散電流。我們將結閤漂移和擴散，介紹愛因斯坦關係，揭示載流子遷移率和擴散係數之間的聯係。 此外，本章還將介紹霍爾效應，講解其産生機製、測量方法及其在確定半導體材料載流子類型、濃度和遷移率等重要參數方麵的應用。 第六章 PN結 PN結是構成絕大多數半導體器件的基礎單元。本章將聚焦於PN結的形成、特性與行為。我們將從P型半導體和N型半導體接觸開始，詳細分析PN結的形成過程，包括少數載流子的擴散和多數載流子的漂移，以及由此産生的空間電荷區（結區）和內建電勢。 我們將深入研究PN結在不同偏壓下的特性： 零偏壓下: 詳細分析PN結的平衡狀態，載流子擴散與漂移的平衡，以及空間電荷區的形成。 正偏壓下: 講解多數載流子的注入，外加電壓如何減小內建電勢，導緻PN結正嚮導電，並分析正嚮電流的來源和其與外加電壓的關係（如指數關係）。 反偏壓下: 講解少數載流子的漂移，外加電壓如何增大內建電勢，導緻PN結反嚮截止，並分析反嚮電流（飽和電流）的來源及其特性。 本章還將介紹PN結的電容效應，包括擴散電容和結電容，以及它們在高速器件中的影響。 第七章 雙極型晶體管（BJT） 雙極型晶體管（Bipolar Junction Transistor, BJT）是早期實現信號放大和開關功能的核心器件。本章將詳細介紹BJT的結構、工作原理和特性。 我們將首先介紹BJT的結構，包括NPN型和PNP型，以及它們的發射區、基區和集電區。然後，我們將深入分析BJT在不同工作區域下的工作原理： 放大區: 講解基極電流如何控製集電極電流，實現電流放大。我們將介紹BJT的輸入輸齣特性麯綫，以及重要的參數如電流增益（β）。 截止區與飽和區: 分析BJT如何作為開關器件工作，實現電路的通斷控製。 本章還將介紹BJT的動態特性，如頻率響應，以及它們在實際應用中需要考慮的因素。 第八章 場效應晶體管（FET） 場效應晶體管（Field-Effect Transistor, FET）以其高輸入阻抗和低功耗等優點，在現代電子電路中占據著舉足輕重的地位。本章將重點介紹FET的種類、結構、工作原理及特性。 我們將主要介紹兩大類FET： 結型場效應晶體管（JFET）: 講解其結構（N溝道和P溝道），通過柵極電壓控製溝道寬度和導電性，從而實現電流的控製。 金屬-氧化物-半導體場效應晶體管（MOSFET）: 詳細介紹MOSFET的結構，包括MIS（金屬-絕緣體-半導體）結構，以及它作為最主要的半導體器件之一的廣泛應用。我們將區分增強型和耗盡型MOSFET，並深入分析其工作原理，包括閾值電壓、跨導等關鍵參數。 本章還將介紹FET的動態特性，並與其他器件（如BJT）進行比較，突齣其各自的優勢和適用場景。 第九章 光電子器件 光電子器件是實現光電轉換的關鍵，在通信、顯示、照明和傳感等領域有著廣泛的應用。本章將介紹幾種重要的光電子器件。 發光二極管（LED）: 講解LED的PN結發光原理，即載流子復閤時將能量轉化為光子。我們將介紹不同材料的LED所發齣的光的顔色，以及LED的發光效率、亮度等特性。 半導體激光器: 介紹激光器的工作原理，包括受激輻射、增益介質和光學諧振腔。我們將重點講解半導體激光器的結構、工作模式以及其在光通信、數據存儲等領域的重要應用。 光電二極管（Photodiode）: 講解光電二極管的光電轉換原理，即光照引起PN結內少數載流子的産生和漂移，形成光電流。我們將介紹不同類型的光電二極管（如PIN光電二極管、雪崩光電二極管）及其特性和應用。 太陽能電池: 介紹太陽能電池的PN結光伏效應，將太陽能轉化為電能。我們將分析其工作原理、效率以及麵臨的挑戰和發展方嚮。 第十章 集成電路基礎 集成電路（Integrated Circuit, IC）是現代電子信息係統的核心，將大量半導體器件集成在單一芯片上。本章將為讀者介紹集成電路的基本概念和製造工藝。 我們將從集成電路的組成齣發，介紹其基本單元電路（如邏輯門、放大器等）的構成。隨後，我們將概述半導體集成電路的製造工藝流程，包括： 矽片製備: 從高純度矽原料提煉、生長單晶矽棒、切割矽片等過程。 外延生長: 在矽片錶麵形成高質量的單晶薄膜。 光刻（Photolithography）: 將電路圖形轉移到矽片上的關鍵工藝。 刻蝕（Etching）: 除去不需要的材料，形成三維結構。 擴散與離子注入: 引入雜質，改變半導體的導電特性。 金屬化: 形成連接各器件的金屬導綫。 本章還將簡要介紹集成電路的封裝技術，以及不同類型的集成電路（如數字集成電路、模擬集成電路、混閤信號集成電路）及其應用。 附錄 A 常用半導體材料性質錶 附錄 B 常見半導體器件參數錶 參考文獻 本書力求內容翔實，條理清晰，圖文並茂。我們希望通過本書的學習，讀者能夠深刻理解半導體物理學的基本規律，掌握各類半導體器件的工作原理，並為進一步深入研究和實際工程應用打下堅實的基礎。 緻謝 （此處為緻謝部分，內容省略，通常包含對相關人員、機構的感謝）

評分☆☆☆☆☆

當我拿到這本書的時候，我首先被它厚實的篇幅和嚴謹的封麵設計所吸引。這本教材的內容似乎非常全麵，涵蓋瞭半導體物理和器件的方方麵麵。我是一位對半導體技術充滿熱情但又缺乏係統性學習的愛好者，我希望這本書能夠幫助我建立起一個紮實的理論框架。我期待書中能夠從原子層麵開始，解釋半導體材料的晶體結構，以及原子鍵閤是如何影響其電子特性的。接著，我希望能夠深入理解能帶理論，它如何解釋瞭導帶、價帶、禁帶等概念，以及電子和空穴是如何在這些能帶中運動的。對於PN結的形成和工作原理，我希望書中能夠給齣清晰的解釋，包括耗盡層、空穴和電子的擴散以及漂移。最後，對於各種半導體器件，如二極管、三極管、MOSFET等，我希望書中能夠詳細介紹它們的結構、工作原理、伏安特性麯綫，以及一些基本的應用電路。

評分☆☆☆☆☆

我是一位在職的工程師，雖然工作內容與電子器件息息相關，但總覺得在基礎理論方麵有所欠缺，尤其是在麵對一些新興的半導體技術時，常常感到力不從心。這次有幸拿到這本《半導體物理與器件》，我將其視為一次係統性的“迴爐再造”。這本書的章節劃分非常清晰，從最基本的原子結構和晶體結構入手，逐步深入到半導體的電子理論、空穴理論，再到 PN 結的形成和各種半導體器件的工作原理。我特彆關注的是書中關於器件製造工藝的部分，雖然這本書的重點是物理和器件原理，但如果能對一些關鍵的製造步驟有所提及，哪怕是簡要介紹，也能夠幫助我更好地理解器件的實際特性和局限性。此外，書中關於半導體材料的分類和特性對比，也讓我受益匪淺。我一直對不同類型的半導體材料，如矽、鍺、砷化鎵等，以及它們在不同應用場景下的優勢和劣勢感到好奇，希望這本書能給我一個清晰的解答。同時，書中是否會涉及一些高性能計算和機器學習在半導體研發中的應用，這也是我非常感興趣的一個方嚮。

評分☆☆☆☆☆

作為一名從事半導體行業多年的技術人員，我對半導體器件的物理原理有著深刻的認識，但隨著技術的不斷發展，新的器件和新的材料層齣不窮。這本《半導體物理與器件》教材，對我來說，更像是一本“參考手冊”和“知識更新”的工具。我特彆關注書中對於新型半導體器件的介紹，例如 FinFET、GAAFET 等先進的場效應晶體管結構，以及它們相比於傳統 MOSFET 的優勢和設計挑戰。書中是否會涉及一些化閤物半導體器件，如 HEMT、LDMOS 等，以及它們在微波通信、高頻功率放大等領域的應用，是我非常看重的一點。此外，書中對於半導體器件的可靠性問題，如擊穿機製、壽命預測等，也希望能夠有所涉及。畢竟，在實際産品設計和製造過程中，器件的可靠性是至關重要的考量因素。

評分☆☆☆☆☆

我是一位對科學知識有著永不滿足的求知欲的讀者，而《半導體物理與器件》這本書，無疑滿足瞭我對這個領域深入瞭解的願望。這本書的厚度預示著其內容的豐富性，也讓我看到瞭它在教學和研究領域的重要性。我希望書中能夠係統地介紹半導體材料的分類，以及各種材料的物理特性，例如帶隙、載流子遷移率、介電常數等。我期待書中能夠對PN結的形成和特性進行深入的分析，包括其耗盡層寬度、結電容以及在不同偏壓下的電流-電壓關係。對於各種半導體器件，如二極管、雙極晶體管、場效應晶體管，我希望書中能夠給齣詳細的物理模型和等效電路，以便我能夠更好地理解它們的行為並進行電路設計。此外，書中是否會涉及一些傳感器、光電器件等特殊半導體器件的原理，也是我非常感興趣的一部分。

評分☆☆☆☆☆

這本書不僅僅是一本教材，更像是一把鑰匙，為我打開瞭通往電子信息科學大門。作為一名對現代科技充滿好奇心的學生，我渴望理解那些構成我們生活基礎設施的微小元件是如何工作的。我希望這本書能以清晰易懂的方式，介紹半導體材料的基本概念，比如它的導電性介於導體和絕緣體之間。我期待書中能夠詳細解釋自由電子和空穴在半導體中的運動，以及它們是如何産生電流的。PN結的形成，我想是理解很多半導體器件的基礎，我希望能從書中獲得詳盡的講解，包括其勢壘形成和載流子行為。對於像二極管、三極管、MOSFET這樣的核心器件，我希望能瞭解它們獨特的結構和工作原理，以及它們在電路中扮演的角色。同時，我也希望書中能包含一些實際的應用案例，讓我能將理論知識與實際聯係起來。

評分☆☆☆☆☆

這本書在我的書架上占據瞭一個很重要的位置，它代錶著我對知識的渴求和對科技的探索。我一直對電子信息科學有著濃厚的興趣，而半導體物理與器件更是其中的核心。我希望這本書能夠帶領我走進微觀世界的奇妙旅程，去探究原子、電子和晶體之間的復雜關係。書中對量子力學在半導體中的應用的闡述，我希望能有清晰的認識，例如薛定諤方程如何在半導體中描述電子的行為。同時，我非常期待書中關於能帶理論的深入講解，它如何解釋瞭半導體材料的導電性，以及如何通過摻雜來改變其導電特性。對於二極管、三極管、MOSFET等基本器件，我希望書中不僅能介紹其結構和工作原理，還能涉及一些基礎的製造工藝和性能指標，例如擊穿電壓、閾值電壓、跨導等。

評分☆☆☆☆☆

這本書的齣版，無疑填補瞭我學習道路上的一個重要空白。作為一名對電子科學充滿好奇的普通讀者，我常常被各種電子産品的神奇功能所吸引，但對其背後的半導體技術卻知之甚少。這本書的名稱就點明瞭其核心內容，讓我對其充滿瞭期待。我希望書中能夠用通俗易懂的語言，解釋半導體材料的獨特性質，以及為何它們能夠被用作製造電子器件的基礎。特彆是關於自由電子和空穴的概念，我希望能夠獲得清晰的理解。書中對於PN結的講解，我想會是理解各種半導體器件的關鍵。我期待書中能夠細緻地分析PN結在不同偏壓下的行為，以及為何它能夠實現單嚮導電。此外，對於晶體管，特彆是BJT和MOSFET，我希望能夠理解它們是如何通過控製電流或電壓來放大或開關信號的，以及它們在現代電子産品中的廣泛應用。

評分☆☆☆☆☆

這本書的封麵設計就給我一種嚴謹而又不失現代感的感覺，沉穩的色調搭配清晰的書名，讓人一眼就能感受到其學術的深度。拿到手上，厚實的分量也預示著內容量的充實。翻開扉頁，精美的排版和規範的字體立刻吸引瞭我。我一直對電子信息領域充滿好奇，特彆是半導體這個基礎而又至關重要的學科。雖然我不是電子專業的科班齣身，但我一直渴望能夠係統地學習和理解半導體物理的奧秘，以及各種器件是如何運作的。這本書的齣現，無疑給瞭我一個絕佳的學習機會。我尤其期待書中能夠深入淺齣地講解量子力學在半導體中的應用，以及各種能帶理論是如何解釋半導體的導電特性的。同時，對於各種半導體器件，如二極管、三極管、MOSFET等，我希望能有詳細的原理介紹，以及它們在實際電路中的應用場景。這本書的齣版，對於我這樣的跨學科學習者來說，簡直是雪中送炭。我希望它不僅能提供紮實的理論基礎，還能通過豐富的圖示和案例，讓我更容易理解那些抽象的概念。

評分☆☆☆☆☆

這本教材的章節結構設計非常閤理，從宏觀到微觀，從基礎到應用，循序漸進，非常符閤學習的邏輯。我非常欣賞書中對於量子力學基本概念的引入，例如德布羅意波、不確定性原理等，這些概念對於理解電子在半導體中的行為至關重要。書中對於能帶理論的闡述，我認為是理解半導體物理的核心。我希望書中能夠詳細介紹各種半導體材料的能帶結構，並解釋不同能帶結構如何導緻不同的導電特性。此外，書中對於費米-狄拉剋統計和麥剋斯韋-玻爾茲曼統計的對比分析，以及它們在半導體中的應用，也讓我非常感興趣。我希望能通過這本書，更深入地理解半導體中的載流子濃度、遷移率、擴散係數等關鍵參數是如何由材料特性和溫度決定的。書中對PN結的解釋，也需要非常詳盡，包括耗盡區、內建電勢、以及在正嚮和反嚮偏壓下的電流-電壓特性。

評分☆☆☆☆☆

作為一名大二的電子信息工程專業的學生，我們剛剛接觸到半導體物理這門課程，感覺內容確實有些抽象和難以理解。這本《普通高等教育“十一五”電子信息類規劃教材：半導體物理與器件》的齣現，給瞭我們極大的幫助。教材的語言風格非常學術化，但又不失嚴謹性，這對於我們打下堅實的理論基礎至關重要。我尤其喜歡書中大量的公式推導和圖示解釋，它們能夠幫助我們將那些復雜的物理概念具象化。我希望書中能夠對各種半導體器件的物理模型進行詳細的介紹，例如肖特基二極管、雙極晶體管、場效應晶體管的電壓-電流特性麯綫，以及它們是如何從半導體物理原理推導齣來的。此外，書中關於半導體器件的噪聲模型和寄生效應的分析，也是我非常期待的部分，因為這直接關係到我們後續設計低噪聲、高性能的模擬電路。我希望這本書能夠涵蓋足夠多的器件類型，並且在每個器件的介紹中，都能清晰地闡述其基本工作原理、關鍵參數以及在實際應用中的注意事項。

評分☆☆☆☆☆

外麵包裹瞭層膜，膜不平整，把書角都摺瞭，整個書都歪的

評分☆☆☆☆☆

1.3.4　費米能級與載流子濃度的關係

評分☆☆☆☆☆

2.2.3　正嚮PN結電流一電壓方程式

評分☆☆☆☆☆

1.6.2　遷移率

評分☆☆☆☆☆

2.3.4　反嚮PN結空間電荷區的産生電流

評分☆☆☆☆☆

2.3.4　反嚮PN結空間電荷區的産生電流

評分☆☆☆☆☆

1.7.3　擴散係數與遷移率的關係愛因斯坦關係式

評分☆☆☆☆☆

1.4.1　N型半導體與P型半導體

評分☆☆☆☆☆

1.4.1　N型半導體與P型半導體